電界結合の利点を述べたが、現状では電界結合を用いた製品が無く、磁界結合に比べて開発も低調である。その理由を次に述べたい。
a.     低い周波数では磁界方式に対してメリットがない。
　図2に示すように、100kHz以下の領域では電界結合より、磁界結合のほうが圧倒的に優れているため、電界結合はかなわなかった。

b.     高周波スイッチングが難しかった。
　高い周波数でパワースイッチング可能な素子としてIGBTがあり、IH調理器などに使用されていたが、MHz帯では効率が出なかったようである。このような時に、SiC、GaNのワイドバンドギャップ半導体が登場した。まさに、次世代パワー半導体の登場により電界結合技術が実現可能になってきた。

c.     回路方式の問題点
　電界結合の実用化が困難だった原因の一つに回路の問題がある。回路としては、図3に直列共振回路、図4に並列共振回路を示す。各回路は、下側に送電部、上側に受電部を置いてあり接合容量ＣＣで接続されている。
直列共振回路には、二つの接合容量の直列合成値と、目的とする周波数で共振するインダクタンスを直列に接続したものである。接合容量も共振回路の一部を構成する。
　これに対して、並列共振回路は、送電部と受電部に目的の周波数で共振する共振回路をそれぞれ設け、電源及び負荷とは共振回路のインダクタンスとトランス結合させている。このため、接合容量は共振回路の構成要素ではない。
　図5は、10ｃｍ角の電極を対向させて接合容量を形成したときに、コンデンサの電極間隔を変化させたときの2MHzにおける送電効率を示している。電極間隔は、１μｍ～10ｍｍまで変化させている。
　キャパシタンスのみの時には、電極間隔を10μｍ程度離すと伝送効率が低下してきて、電極間隔が300μｍ程度の時には、20％程度の効率しかなくなる。
これに対して、並列共振回路の場合には、電極間隔が100μｍ程度離したところから減少し、2ｍｍ程度離したところで20％程度の効率になる。このように、並列共振回路を用いることで、電極間隔を広げることが可能になる。すなわち、接合容量が小さくても電力送電が維持できることを意味している。
　これに対し、直列共振回路は、任意の大きさの接合容量に対して共振関係が取れるインダクタンスを使用すれば、共振ピークが立って送電可能となる。
　電界結合の利用価値は、送電側の電極と受電側の電極を相互に動かすことで、リニア的に移動したり、回転させたり、コネクタとして使用したりできる。このため、接合容量を構成する電極間隔は変化することが多い。さらに、水分やごみ等が詰まって接合容量が変化することを前提に考えなければいけない。
　図5を見ると、直列共振では特定の間隔で共振関係を構築しても、電極間隔がずれてしまうと急減に伝送効率が低下してしまう。これに対して、並列共振回路は電極間隔の変化(接合容量の変化)に対してロバスト性がある。さらに、電極同士が接触して導通したり、水が混入して接合容量が急増(水の誘電率は、空気の誘電率の80倍)しても、並列共振回路の場合には電力を送電可能である。
直列共振の場合には、この様な変化に対して対応できない。過去に、直列共振回路を用いた電界結合の実験も行われたが、実用化されなかったのは回路の問題があると思われる。